光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約1至2nm厚。當用戶需要測量許多材料的帶隙時,深紫外光譜橢偏儀也是*的。可見或近紅外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。當然,如果必須確定光學常數(shù),則應將工具的波長范圍配置為該范圍。其他配置,如波長分辨率,角度范圍等,將根據(jù)所需的應用進行考慮。
光譜橢偏儀特征:
?基于Window軟件,易于操作;
?的光學設計,實系統(tǒng)性能;
?高功率DUV-VIS-NIR光源,適用于寬帶應用;
?基于陣列的探測器系統(tǒng),確??焖贉y量;
?用戶可以根據(jù)需要定義任意數(shù)量的圖層;
?能夠用于實時或在線厚度,折射率監(jiān)測;
?系統(tǒng)配有全面的光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫;
?高級TFProbe 3.3.X軟件允許用戶對每個膠片使用NK表,色散或有效介質近似(EMA);
?三種不同的用戶級別控制:工程師模式,系統(tǒng)服務模式和簡易用戶模式;
?靈活的工程模式,適用于各種配方設置和光學模型測試;
?強大的一鍵式按鈕解決方案,用于快速和常規(guī)測量;
?可按照用戶偏好配置測量參數(shù),操作簡便;
?系統(tǒng)全自動校準和初始化;
?直接從樣品信號獲得精確的樣品對齊接口,無需外部光學元件;
?精確的高度和傾斜程度調整;
?適用于許多不同類型的不同厚度的基材;
?各種選項,附件可用于特殊配置,如繪圖階段,波長擴展,焦點等;
?2D和3D輸出圖形以及用戶數(shù)據(jù)管理界面;
光譜橢偏儀應用:
?半導體制造(PR,氧化物,氮化物......)
?液晶顯示器(ITO,PR,Cell gap ......)
?法醫(yī)學,生物學材料
?油墨,礦物學,顏料,調色劑
?制藥,科研
?光學涂層,TiO2,SiO2,Ta2O5 ......
?半導體化合物
?MEMS / MOEMS中的功能薄膜
?無定形,納米和硅晶圓
?太陽能電池薄膜,CdTe,CdS,CIGS,AZO,CZTS ....
光譜橢偏儀技術參數(shù):
型號 |
|
|
|
| ||||
探測器類型 | CCD或CMOS陣列 | CCD或CMOS陣列 | CCD或CMOS和InGaAs陣列 | CCD或CMOS和InGaAs陣列 | ||||
波長范圍(nm) | 190至1100 | 370至1100 | 370-1700 | 190-1700 | ||||
波長點 | 測量波長范圍和波長數(shù)據(jù)點均在用戶配方中自定義(數(shù)據(jù)點僅受分辨率限制) | |||||||
波長分辨率 | 0.01 -3nm | 0.01 -3nm | 0.01至3nm | 0.01至3nm | ||||
數(shù)據(jù)采集時間 | 100毫秒到10秒,用戶自定義 | |||||||
入射角范圍 | 20至90度 | |||||||
入射角分辨率 | 帶手動測角儀的5度預設步驟,用于SExxx-BM配置; 程序控制0.001度分辨率,配有自動測角儀,適用于SExxx-BA配置 | |||||||
偏光光學 | 旋轉偏振器,分析器和/或補償器的組合 | |||||||
光束尺寸 | 準直光束,光束尺寸可在1至5mm范圍內調節(jié)光圈; 可選的聚焦光束模式(可拆卸)可用于減小光斑尺寸 | |||||||
光源 | (D2 + TH)/氙 | TH | TH | (D2 + TH)/氙 | ||||
燈泡壽命 | 4000小時 | 10000小時 | 10000小時 | 4000小時 | ||||
可測量的厚度范圍 | 高達30μm | 20nm至50μm | 20nm至50μm | 高達50μm | ||||
厚度精度 | <1?或0.1% | |||||||
索引精度 | 優(yōu)于0.0001 | |||||||
厚度準確度 | 優(yōu)于0.25% |