納米壓印機應(yīng)用：過去五年中，石墨烯的氣體傳感器引起了的興趣，顯示出單分子檢測。
近的研究表明，與非圖案化層相比，石墨烯的圖案化強烈地增加了靈敏度。
通過標準程序生長CVD石墨烯，然后轉(zhuǎn)移到Si/SiO 2基板上進行進一步處理。如（Mackenzie，2D Materials，[/10.1088/2053-1583/2/4/045003]中所述，使用物理陰影掩模和激光燒蝕來定義接觸和器件區(qū)域。
使用軟壓印在CNI v2.0中進行熱納米壓印光刻，將mr-I7010E壓印抗蝕劑在130℃，6巴壓力下壓印10分鐘，壓力在70℃下釋放。
通過反應(yīng)離子蝕刻將邊緣到邊緣間隔為120-150nm的大面積圖案的孔轉(zhuǎn)移到石墨烯中，并且用丙酮除去殘留的抗蝕劑。
發(fā)現(xiàn)器件具有大約的載流子遷移率發(fā)現(xiàn)器件在加工前具有約2000cm2/Vs的載流子遷移率，之后具有400cm2/Vs的載流子遷移率處理，同時保持整體低摻雜水平。
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