TESCAN Ga離子雙束掃描電鏡
主要特點(diǎn)
TriglavTM-新設(shè)計(jì)的超高分辨（UHR）電子鏡筒配置了TriglavTM物鏡和*的探測系統(tǒng)
以*的方式結(jié)合了三透鏡物鏡和crossover-free模式
*的且可隨意變化的探測系統(tǒng)可用于同步獲取不同的信號
超高的納米分辨率：15keV下0.7nm，1keV下1nm
極限超高分辨率：1keV下1nm
可變角度的BSE探測器，優(yōu)化了低能量下能量反差
實(shí)時(shí)電子束追蹤(In-flight Beam TracingTM）實(shí)現(xiàn)了電子束的優(yōu)化
傳統(tǒng)的TESCAN大視野光路（Wide Field OpticalTM）設(shè)計(jì)提供了不同的工作和顯示模式
有效減少熱能損耗，的電子鏡筒的穩(wěn)定性
新款的肖特基場發(fā)射電子槍現(xiàn)在能實(shí)現(xiàn)電子束電流達(dá)到400nA，且電子束能量可快速的改變
為失效分析檢測過程中的新技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供了*的解決方案
適合精巧的生物樣品成像
可觀察磁性樣品
優(yōu)化的鏡筒幾何學(xué)配置使得8’’晶元觀察成為可能（SEM觀察和FIB納米加工）
*的實(shí)時(shí)三維立體成像，使用了三維電子束技術(shù)
友好的，成熟的SW模塊和自動(dòng)化程序
Cobra FIB鏡筒：高性能的Ga FIB鏡筒，實(shí)現(xiàn)超高精度納米建模
在刻蝕和成像方面是水平的技術(shù)
Cobra保證在短時(shí)間內(nèi)完成剖面處理和TEM樣品制備
FIB分辨率<2.5nm
FIB-SEM斷層分析可應(yīng)用于高分辨的三維顯微分析
適合生物樣品的三維超微結(jié)構(gòu)研究，例如組織和完整的細(xì)胞
低電壓下的性能，適合于刻蝕超薄樣品和減少非晶層
TESCAN Ga離子雙束掃描電鏡應(yīng)用
半導(dǎo)體
超細(xì)減薄TEM薄片厚度小于15nm，用于進(jìn)行小于14nm工藝節(jié)點(diǎn)的失效分析
通過平面去層級化的手段對三維集成電路板進(jìn)行失效分析
三維集成電路板的原型設(shè)計(jì)和電路修改
電子束敏感結(jié)構(gòu)材料的成像，如低電子束能量下的晶體管層，光阻材料等
用于*三維結(jié)構(gòu)分析的超高分辨FIB-SEM層析成像技術(shù)
通過在亞納米分辨率下的透射電子(STEM)或元素分析(EBX, EBSD)等手段進(jìn)行TEM薄片的原位分析
6’’, 8’’及12’’晶片的檢驗(yàn)及分析
無失真的高分辨EBSD
集成電路板和薄層測量下具有開創(chuàng)性及精確的原型設(shè)計(jì)，離子束光刻(IBL)以及失效分析
通過結(jié)合FIB技術(shù)及電子束蝕刻(EBL)來進(jìn)行細(xì)小的特殊結(jié)構(gòu)的刻蝕及鍍膜。
材料科學(xué)
非導(dǎo)電材料如陶瓷，高分子及玻璃等的成像
納米材料如納米管和納米環(huán)的表征
通過切片分析進(jìn)行金屬及合金的疲勞和裂紋形成分析
通過電子束蝕刻或聚焦離子束誘導(dǎo)沉積的方式進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)如納米盤，觸體和霍爾探針的制造。
磁性樣品的成像
用于分析磁性材料磁化動(dòng)力學(xué)及其疇壁運(yùn)動(dòng)的自旋電子結(jié)構(gòu)的樣品制備
通過TOF-SIMS分析進(jìn)行同位素及具有類似相當(dāng)質(zhì)量的元素種類的鑒別
通過TOF-SIMS包括三維重構(gòu)進(jìn)行鋰離子電極的貫穿分析
通過元素分布，相分布及晶體取向進(jìn)行高分辨FIB-SEM層析成像的材料表征手段
通過二次離子成像進(jìn)行腐蝕生長學(xué)的研究
特定應(yīng)用下的TEM薄片的樣品制備
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