用于半導體的 Helios G4 PFIB UXe DualBeam

Helios G4 PFIB UXe DualBeam 系統(tǒng)使您能夠：

• 使用具有高電流 UC+ 單色器技術(shù)的 ElstarSEM 電子鏡筒，可獲得納米級 SEM 圖像分辨率和表面靈敏度，從而顯示較為細致的細節(jié)信息。
• 使用新一代 2.5 微安 氙等離子體 FIB (PFIB 2.0) 鏡筒，可進行較高通量和質(zhì)量相關(guān) 3D 表征、橫向切片和微加工。
• 使用自動搖擺研磨機，可實現(xiàn)高產(chǎn)率、無屏障大面積橫向切片制備并獲得高質(zhì)量 TEM 片晶。
• 實現(xiàn)的低 kV 離子束性能，可提高材料靈敏度和降低樣品制備損傷。
• 通過可選配的 MultiChem 或 GIS 氣體輸送系統(tǒng)，可提供在 FIB-SEM 系統(tǒng)上進行電子和離子束誘導的沉積及蝕刻的較高級功能。
• 通過具有的 Dx 和 DE 化學物質(zhì)，在常規(guī)和低 k 電介質(zhì)中對銅金屬化進行逆向處理。并通過基于等離子 FIB 的化學過程和配方銑削的包裝材料。