半導(dǎo)體測(cè)試儀 MOS管IGBT等器件靜態(tài)參數(shù)圖片

半導(dǎo)體測(cè)試儀MOS管IGBT等器件靜態(tài)參數(shù)本系統(tǒng)可自動(dòng)生成功率器件的I-V曲線(xiàn)，也可根據(jù)客戶(hù)的實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)在失效分析，IQC來(lái)料檢驗(yàn)及高校實(shí)驗(yàn)室等部門(mén)有廣泛的應(yīng)用。系統(tǒng)生成的曲線(xiàn)都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。系統(tǒng)典型的測(cè)試時(shí)間是6to20ms,通常上百個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)曲線(xiàn)只需要幾秒鐘時(shí)間便可以展現(xiàn)出來(lái)，數(shù)據(jù)捕獲的曲線(xiàn)可導(dǎo)