晶體管正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng)ST-FBSOA_X
晶體管正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng)ST-FBSOA_X
基礎(chǔ)信息
Si,SiC,GaN,材料的器件級和模塊級的IGBT,MOS-FET的FBSOA(正向偏置安全工作區(qū))測試
FBSOA和對應(yīng)的IV曲線
ICE電流0~1000A
VCE電壓0~100V
VGE驅(qū)動電壓0~30V
VMNF熱敏電壓≤5V
Pmax功率100KW
脈寬10us~10ms
柜式結(jié)構(gòu),氣動安全(支持手動式)工裝柜,計算機(jī)程控
晶體管正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng)ST-FBSOA_X
FBSOA定義
該圖是簡版FBSOA曲線,劃定了四條電壓-電流關(guān)系的邊界線,分別是AB段,BC段,CD段,DE段
AB段規(guī)定了處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)下IGBT的zd工作電流,這個電流與IGBT的門極驅(qū)動電壓幅值相關(guān),從圖看出,IGBT 門極驅(qū)動電壓幅值越高,飽和導(dǎo)通狀態(tài)下的zd工作電流越大
BC段是IGBT max可重復(fù)電流ICpuls,是4倍標(biāo)稱電流
CD段需結(jié)合IGBT瞬態(tài)熱阻看。IGBT有線性區(qū)和飽和區(qū)
跨AB段后,其IGBT處于線性區(qū)了,也就退出飽和導(dǎo)通區(qū), IGBT損耗急劇上升。所以,這條邊界體現(xiàn)IGBT能承受zd耗散功率Ptot。且CE電壓越高,IGBT所能承電流脈沖幅值越低。另外,電流脈寬越大,IGBT所能承受電流幅值也越低
藍(lán)色CD段各種脈沖寬度下的SOA,均是單脈沖安全工作區(qū),非連續(xù)工作情況下的工作區(qū),所以,必須參考上一頁的右下角的IGBT瞬態(tài)熱阻曲線,由公式(1)計算出在指VCE條件下允許的電流IC的幅值和脈寬
DE段規(guī)定了IGBT集射極CE擊穿電壓,IGBTCE擊穿電壓是和結(jié)溫正相關(guān),結(jié)溫越低,CE擊穿電壓也越低
晶體管正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng)ST-FBSOA_X
產(chǎn)品特點
測試規(guī)范:IEC60747-9、IEC60747-2、GB/T29332、GB/T4023
測試工裝有“手動式”“氣動式”“電子開關(guān)式”供選擇,不同封裝外觀,更換“DUT適配器”即可
高溫測試,支持室溫~200℃,±1℃@0.5℃
計算機(jī)程控,測試數(shù)據(jù)可存儲為Excel、PDF。內(nèi)置多種通用文檔模板供用戶選擇,還可自定義
安全穩(wěn)定(PLC對設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實時監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖)設(shè)備具有安全工作保護(hù)功能
智能化,計算機(jī)進(jìn)行操控及數(shù)據(jù)編輯,測試結(jié)果自動保存及上傳特定局域網(wǎng),支持MES系統(tǒng)和掃碼槍連接
安全性,防爆,防觸電,短路保護(hù)等多重保護(hù)措施,可以操作人員、設(shè)備、數(shù)據(jù)及樣品安全
電壓源電流源模塊化設(shè)計,根據(jù)需求,自選搭配
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