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IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)

參考價(jià)	￥ 1000000
訂貨量	≥1套

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱陜西天士立科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)STA3500
所在地西安市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2024/4/29 17:36:13
訪問(wèn)次數(shù)227

產(chǎn)品標(biāo)簽:

IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試儀測(cè)試IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性專用儀器 IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性專測(cè)系統(tǒng)IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性鋁合金測(cè)試儀

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

　　陜西天士立科技有限公司，專業(yè)從事半導(dǎo)體檢測(cè)之“半導(dǎo)體電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)”“半導(dǎo)體可靠性試驗(yàn)臺(tái)”“半導(dǎo)體老化試驗(yàn)臺(tái)”以及氣候環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、力學(xué)環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、參數(shù)化脈沖電源、半導(dǎo)體EDA仿真軟件、智慧工廠、碳化硅陶瓷材料、第三方檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室為一體的科研、制造、開(kāi)發(fā)、服務(wù)性品牌。核心團(tuán)隊(duì)匯集了來(lái)自院所高校和知企業(yè)的從事電力電子、芯片開(kāi)發(fā)、電源、軟件等領(lǐng)域人士。。產(chǎn)品成熟可靠，久經(jīng)市場(chǎng)考驗(yàn)，在替代同類進(jìn)口產(chǎn)品方面有著突出的優(yōu)勢(shì)。

　　“半導(dǎo)體檢測(cè)”系列產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體功率器件的初始研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)再到應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈。服務(wù)領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件及IC上游產(chǎn)業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)(院所高校、電子廠、軌道機(jī)車(chē)、新能源汽車(chē)、白色家電等......)應(yīng)用場(chǎng)景主要有器件及IC研發(fā)期預(yù)演測(cè)試、晶圓廠自動(dòng)化芯片測(cè)試、器件及IC后道封裝測(cè)試。應(yīng)用端的來(lái)料檢驗(yàn)、失效分析、器件選型、參數(shù)配對(duì)、壽命預(yù)估等。

　　“環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備”包括力學(xué)振動(dòng)臺(tái)、沖擊試驗(yàn)臺(tái)、振動(dòng)溫度濕度三綜合、高低溫環(huán)境試驗(yàn)箱、各類氣候環(huán)境試驗(yàn)箱、熱流儀、精密實(shí)時(shí)在線高低溫箱。

　　“電氣工程”產(chǎn)品系列及服務(wù)包括電力半導(dǎo)體器件、模塊、組件的研制及綜合檢測(cè)設(shè)備；電氣自動(dòng)化設(shè)備，電冶、電化學(xué)整流裝置；電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源，感應(yīng)加熱爐，變壓器、整流器、電感器、電容器、互感器、傳感器及其配套設(shè)備；晶閘管光控高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器；遠(yuǎn)距離光電傳感轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)；光電脈沖觸發(fā)板、IGBT智能高壓驅(qū)動(dòng)機(jī)車(chē)調(diào)速匯報(bào)板；SVC無(wú)功靜補(bǔ)裝置等。

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半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)特性測(cè)試設(shè)備，MOS-FET管場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀，可控硅參數(shù)測(cè)試設(shè)備，光耦參數(shù)測(cè)試儀，二三極管參數(shù)測(cè)試儀，碳化硅SiC氮化鎵GaN器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備，半導(dǎo)體器件特性分析儀，IGBT模塊功率循環(huán)試驗(yàn)，實(shí)時(shí)在線高低溫箱，熱流儀，氣流儀

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)	產(chǎn)品新舊	全新

高壓源/VCC：1500V/3300V/5000V/10KV
高流源/IC：600A/1500A/3000A/6000A/10KA
短路電流/Isc：3000A/6000A/10KA（5-50µs）
驅(qū)動(dòng)電壓/VGE：±0.5~30V/±0.5~50V
Rg：0.5R、1R、2R、4R（支持手動(dòng)和自動(dòng)切換）
負(fù)載/L：10 50 150 500 1000 2000 uH
電流/I

IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA3500

9.1.jpg

IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA3500

電氣配置

高壓源/VCC：1500V/3300V/5000V/10KV

高流源/IC：600A/1500A/3000A/6000A/10KA

短路電流/Isc：3000A/6000A/10KA（5-50µs）

驅(qū)動(dòng)電壓/VGE：±0.5~30V/±0.5~50V

Rg：0.5R、1R、2R、4R（支持手動(dòng)和自動(dòng)切換）

負(fù)載/L：10 50 150 500 1000 2000 uH

電流/I：6000 3000 1500 600 400 200 A

IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA3500

測(cè)試條件

Vcc范圍：50-3300

VIC范圍：50-200A（雪崩條件）

IC范圍：50-1500A

L電感：10/50/150/5001000/2000uH

VGE（on/off）：±30V(電壓可設(shè)置)

tp測(cè)試時(shí)間：10-1000us（自動(dòng)計(jì)算）

twsoff脈沖間隔：10-50us（可設(shè)置）

電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R(Qg條件）

IscMAX：6KA/10KA(SC條件）

IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA3500

試驗(yàn)?zāi)芰?/span>

標(biāo)配，開(kāi)關(guān)特性/Turn_ON/OFF_L

標(biāo)配，二極管反向恢復(fù)特性/Qrr-FRD

標(biāo)配，柵電荷/Qg

選配，短路特性/SC

選配，單/雙脈沖安全工作區(qū)/RBSOA(Sp/Dp)

選配，雪崩耐量/UIS

IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)

IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA3500

波形例舉

IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)

IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA3500

參數(shù)指標(biāo)

標(biāo)配（阻性/感性）開(kāi)關(guān)測(cè)試單元/Turn_ON/OFF_L

開(kāi)通/關(guān)斷時(shí)間ton/toff：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
開(kāi)通/關(guān)斷延遲td(on)/td(off）：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
上升/下降時(shí)間tr/tf：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
開(kāi)通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff：0.5-10000mJ解析度：0.1mJ
關(guān)斷拖尾時(shí)間tz：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
導(dǎo)通/關(guān)斷峰值電壓Vce/VCEpk：50-1400V解析度/精度：1V@±4%
通態(tài)峰值電流Ipeak/Ic：20-1500A解析度/精度：1A@±4%
標(biāo)配二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元/Qrr_FRD
反向恢復(fù)時(shí)間Trr：10-1000ns解析度和精度：1ns@±4%
反向電流Irm：20A-1500A解析度：1A
反向恢復(fù)電荷Qrr：1nC-30000µC解析度：1nC
反向恢復(fù)損耗Erec：0.5-10000mJ，解析度：0.1mJ
di/dt@dv/dt：10A-8000A/us@0.2-5KV/us
反向關(guān)斷峰值電壓VRRpk：50-1400V解析度和精度：1ns@±4%
正向關(guān)斷電流IFM：20A-1500A解析度和精度：1ns@±4%
標(biāo)配柵極電荷單元/Qg
閾值電荷Qg(th)：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
柵電荷Qg：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
平臺(tái)電壓vg：.-10V~+20v解析度/精度：0.1V@±2%
柵源電荷Qgs：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
柵漏電荷Qgd：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
選配短路特性測(cè)試單元/SCSOA
短路電流Isc：6000A解析度/精度：1A@±4%
短路時(shí)間Tsc：5~100us
選配安全工作區(qū)/RBSOA
RBSOA：VCE/50-1.4KV，Ic/20-2KA
VCE/Ic解析度/精度：1V/1A@±4%
選配雪崩特性測(cè)試單元/UIS
單/重復(fù)脈沖雪崩能量EAS/EAR：1~2000J解析度：0.1mJ
單脈沖雪崩電流IAS：5-200A解析度和精度1A@±4%
單脈沖雪崩功率PAS：140KW

IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA3500

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