簡 介:
原位高溫X射線反應(yīng)裝置(HT-XRD/AS-1200)是一款專門為高溫條件下探測樣品物相結(jié)構(gòu)變化而設(shè)計(jì)的原位樣品臺(tái)系統(tǒng),能夠匹配同步輻射X射線衍射和X射線吸收兩類光譜表征。該裝置系統(tǒng)主要包含有高溫爐體裝置,水冷系統(tǒng),溫度控制系統(tǒng)(程序控制),樣品臺(tái)等多個(gè)部件及相關(guān)配件。采用環(huán)境場加熱方式,確保樣品處于恒溫點(diǎn),使用溫度1200℃。該原位裝置十分適用于研究不同材料在高溫變溫情況下的物相結(jié)構(gòu)研究,是材料科學(xué)領(lǐng)域、能源化學(xué)領(lǐng)域等眾多研究領(lǐng)域的有力輔助手段之一。
主要特點(diǎn)
1. 該裝置系統(tǒng)主要包含有高溫爐體裝置,水冷系統(tǒng),溫度控制系統(tǒng)(程序控制),樣品臺(tái)等多個(gè)部件及相關(guān)配件;
2. 該裝置可在上海光源進(jìn)行原位XRD和XAS測試;
3. 該裝置采用環(huán)場加熱方式對樣品中心處進(jìn)行加熱,保證樣品處的溫度均勻;
4. 溫度控制范圍:RT-1200℃;溫度控制精度:±1℃,配備程序控制系統(tǒng),能夠?qū)崿F(xiàn)遠(yuǎn)程電腦控制溫度;
5. 樣品臺(tái)采用陶瓷加工而成,熱電偶采用k型熱電偶,置于樣品正下方;
6. 樣品架可以夾持直徑2-15mm的固體樣品,且樣品架在1200℃的溫度下不與硅酸鹽材料(Lu2SiO5,Y2SiO5,Gd2SiO5)發(fā)生化學(xué)反應(yīng);
7. 光能量:0.12398nm(約為10kev)角度2θ 8-55度;
8. 裝置采用BN陶瓷片和高純鈹窗作為X射線光窗,能夠承受不高于2個(gè)大氣壓的氣壓條件和低真空環(huán)境;
9. 配備水冷系統(tǒng),保證主體反應(yīng)腔室的溫度不高于60℃,保證實(shí)驗(yàn)的安全;