反應(yīng)離子刻蝕機(jī)

概述：

   NRE-4000反應(yīng)離子刻蝕機(jī)是一款獨(dú)立式PE刻蝕RIE刻蝕一體機(jī)，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載。腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷。該系統(tǒng)可以支持到12"的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 Torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mTorr到8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過(guò)濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶Formblin泵油).RF射頻功率通過(guò)600W,13.56MHz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500V.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。

原理：

   NRE-4000是基于PC控制的全自動(dòng)系統(tǒng).系統(tǒng)真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實(shí)時(shí)顯示,流量及功率則以數(shù)字形式實(shí)時(shí)顯示.系統(tǒng)提供密碼保護(hù)的四級(jí)訪問(wèn)功能:操作員級(jí)、工程師級(jí)、工藝人員級(jí),以及維護(hù)人員級(jí).允許半自動(dòng)模式(工程師模式)、寫(xiě)程序模式(工藝模式), 和全自動(dòng)執(zhí)行程序模式(操作模式)運(yùn)行系統(tǒng)?；谌詣?dòng)的控制，該系統(tǒng)具有高度的可重復(fù)性。

主要用途：

介質(zhì)薄膜干法刻蝕，包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等

產(chǎn)品特點(diǎn)：

鋁質(zhì)腔體或不銹鋼腔體

不銹鋼立柜

支持各向同性刻蝕和各向異性刻蝕兩種模式

能夠刻蝕硅的化合物(~400? /min)以及金屬

典型的硅刻蝕速率，400 ?/min

高達(dá)12"的陽(yáng)極氧化鋁RF樣品臺(tái)

水冷及加熱的RF樣品臺(tái)

大的自偏壓

淋浴頭氣流分布

極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6Torr級(jí)別

渦輪分子泵

NRE-3000支持4個(gè)MFC，NRE-4000支持8個(gè)MFC

無(wú)繞曲氣體管路

自動(dòng)下游壓力控制

雙刻蝕能力：RIE以及PE刻蝕(可選)

終點(diǎn)監(jiān)測(cè)

氣動(dòng)升降頂蓋

手動(dòng)或自動(dòng)上下載片

預(yù)真空鎖

基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制

菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪問(wèn)保護(hù)

*的安全聯(lián)鎖

可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺(tái)，用于深硅刻蝕

技術(shù)指標(biāo):

氣體種類：O2、CF4、CHF3、SF6、BCl3等

基片尺寸：支持8英寸，并向下兼容6、5、4、3、2英寸等以及破片

射頻電源  ：  

ICP電源：13.56MHz，1400W; 偏壓電源：13.56MHz，800W

工藝溫度：10℃到80℃可控      

傳送模式：自動(dòng)Loadlock傳送系統(tǒng)

其他產(chǎn)品：

NRE-4000：基于PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制的獨(dú)立式系統(tǒng)，占地面積26“D x 44"W

NRE-3500：基于PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制的緊湊型獨(dú)立式系統(tǒng)，占地面積26“D x 26"W

NRE-3000：基于PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制的臺(tái)式系統(tǒng)，占地面積26“D x 26"W

NRP-4000：RIE/PECVD雙系統(tǒng)

NDR-4000：深RIE刻蝕(深硅刻蝕)系統(tǒng)