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日立離子研磨儀器 IM4000PLUS

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更新時(shí)間:2024-04-26 15:33:36瀏覽次數(shù):127

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IM4000PLUS是支持?jǐn)嗝嫜心ズ推矫嫜心ィ‵lat Milling®*1)的混合式離子研磨儀器。借此,可以用于適用于各種諸如對(duì)樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)觀察和各類(lèi)分析等,為評(píng)價(jià)目的樣品的制作。

詳細(xì)介紹

◆ 高通量的斷面研磨

配備斷面研磨能力達(dá)到500 µm/h*2以上的高效率離子槍。因此,即使是硬質(zhì)材料,也可以高效地制備出斷面樣品。

*2在加速電壓6 kV下,將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時(shí)時(shí)的超大深度


◆ 斷面研磨

 即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所構(gòu)成的復(fù)合材料,也可以制備出平滑的斷面樣品

 優(yōu)化加工條件,減輕損傷

 可裝載大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品

斷面研磨的主要用途

 制備金屬以及復(fù)合材料、高分子材料等各種樣品的斷面

 制備用于分析開(kāi)裂和空洞等缺陷的斷面

 制備評(píng)價(jià)、觀察和分析所用的沉積層界面以及結(jié)晶狀態(tài)的斷面

              斷面研磨加工原理圖


◆ 平面研磨(Flat Milling®)

 均勻加工成直徑約為5mm的范圍

可運(yùn)用于符合其目的的廣泛領(lǐng)域

大可裝載直徑50 mm × 厚度25 mm的樣品

可選擇旋轉(zhuǎn)和擺動(dòng)(±60度~±90度的翻轉(zhuǎn))2種加工方法

平面研磨(Flat Milling®)的主要用途

去除機(jī)械研磨中難以消除的細(xì)小劃痕和形變

去除樣品的表層

消除FIB加工的損傷

     平面研磨(Flat Milling&reg)加工原理圖


◆ 與日立SEM的樣品結(jié)合

樣品無(wú)需從樣品臺(tái)取下,就可直接在SEM上進(jìn)行觀察。

在抽出式的日立SEM上,可按照不同的樣品分別設(shè)置截面、平面研磨桿,因此,在SEM上觀察之后,可根據(jù)需要進(jìn)行再加工。


*1將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時(shí)的深度

*2千分尺旋轉(zhuǎn)1圈時(shí)的遮擋板移動(dòng)量。斷面研磨夾持器比為1/5

◆ 大氣隔離樣品桿

大氣隔離樣品桿,可讓樣品在不接觸空氣的狀態(tài)下進(jìn)行研磨。

密封蓋將樣品密閉,進(jìn)入真空排氣的樣品室后,打開(kāi)密封蓋。如此,離子研磨加工后的樣品可以在不接觸空氣的狀態(tài)下直接設(shè)置到SEM*1、FIB*1、AFM*2上。

*1僅支持附帶大氣隔離樣品更換室的日立FE-SEM和FIB。

*2僅支持真空型日立AFM。


鋰離子電池負(fù)極(充電后)

     

                            大氣暴露                                                                   大氣隔離




◆ 用于加工時(shí)觀察的立體顯微鏡

IM4000、IM4000PLUS通過(guò)設(shè)置在樣品室上方的立體顯微鏡,可觀察到研磨過(guò)程中的樣品。

如果是三目型,則可以通過(guò)CCD攝像頭*3進(jìn)行監(jiān)控觀察。

*3CCD攝像頭以及監(jiān)控器由客戶(hù)準(zhǔn)備。

◆ 冷卻溫度調(diào)節(jié)功能*1


                                                                                                     附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS


該功能可有效防止加工過(guò)程中,由于離子束照射引發(fā)的樣品的溫度上升,所導(dǎo)致樣品的溶解和變形。對(duì)于過(guò)度冷卻后會(huì)產(chǎn)生開(kāi)裂的樣品,通過(guò)冷卻溫度調(diào)節(jié)功能可防止其因過(guò)度冷卻而產(chǎn)生開(kāi)裂。

*1此調(diào)節(jié)功能不是IM4000PLUS的標(biāo)配功能,而是配有冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS功能。


樣品:鉛焊料

     

                             常溫研磨                                                                           冷卻研磨

◆ 斷面研磨

如果是大約500 µm的角型的陶瓷電容器,則可以3小時(shí)內(nèi)制備出平滑的斷面。

樣品:陶瓷電容器

     

                             低倍圖像                                                                     放大圖像

即使硬度和成分不同的多層結(jié)構(gòu)材料,也可以制備斷面。


樣品:保險(xiǎn)杠涂膜

     

                             低倍圖像                                                                   放大圖像

這是通過(guò)鋰電池正極材料,斷面研磨獲得平滑截面的應(yīng)用實(shí)例。

在SEM上觀察到的具有特殊對(duì)比度的部位,從SSRM(Scanning Spread Resistance Microscopy)圖像來(lái)看,考慮為電阻低的部位。


樣品:鋰離子電池正極材料 樣品制備方法:斷面研磨

                                     鋰離子電池正極材料:二次電子像/SSRM圖像


◆ 平面研磨(Flat Milling)

可以去除機(jī)械研磨所引起的研磨損傷和塌邊,并可觀察到金屬層、合金層和無(wú)鉛焊料的Ag分布。


樣品:無(wú)鉛焊料

     

                              機(jī)械研磨后                                                             平面研磨后

因老化等變得臟污的觀察面、分析面,通過(guò)平面研磨,也可以獲得清晰的通道對(duì)比度圖像和EBSD模式。


樣品:銅墊片


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