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詳細介紹
儀器主要用途
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儀器技術(shù)原理和參數(shù)
1、儀器工作原理
原子或離子可處于不連續(xù)的能量狀態(tài)，該狀態(tài)可以用光譜項來描述；當(dāng)處于基態(tài)的原子或離子吸收了一定的外界能量時，其核外電子就從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，而處于激發(fā)態(tài)的原子或離子很不穩(wěn)定，經(jīng)由約秒便躍遷返回基態(tài)，并將激發(fā)所吸收的能量以光的形式放出，將這些光按一定的波長順序排列即為原子光譜；由于特定元素可產(chǎn)生一系列不同波長的光，通過識別待測元素的特征光譜存在與否即可進行定性分析，根據(jù)該波長光的強度進行定量分析。
激發(fā)臺中的電極與預(yù)先制備好的金屬樣本之間在激發(fā)過程中產(chǎn)生電火花?；鸹òl(fā)出的光通過入射狹縫進入光室，通過光柵分光后，不同波長的光以不同的角度分開，照射到CMOS傳感器上。傳感器將光信號轉(zhuǎn)化成為電信號，并通過測量系統(tǒng)傳輸給計算機，經(jīng)處理后，得出分析結(jié)果。
2、主要技術(shù)參數(shù)
| 項目 | 指標 |
| 檢測基體 | 鐵基、銅基、鋁基、鎳基、鈷基、鎂基、鈦基、鋅基、鉛基、錫基、銀基、錳基、鉻基等13個基體 |
| 光學(xué)系統(tǒng) | 帕型-龍格 羅蘭圓全譜真空型光學(xué)系統(tǒng) |
| 波長范圍 | 165-589nm（可安裝上下限檢測器擴大波長范圍） |
| 探 測 器 | 高分辯率多CMOS圖像傳感器 |
| 光源類型 | DDD數(shù)字激發(fā)光源，高能預(yù)燃技術(shù)（HEPS） |
| 放電頻率 | 100-1000Hz |
| 放電電流 | 400A |
| 檢測時間 | 依據(jù)樣品類型而定，一般在25s左右 |
| 電極類型 | 鎢材噴射電極 |
| 分析間隙 | 樣品臺分析間隙:3.4mm |
| 真空系統(tǒng) | 真空軟件自動控制、監(jiān)測 |
| 氬氣純度 | 99.999% |
| 氬氣壓力 | 0.5MPa |
| 工作電源 | AC220V 50/60Hz |
| 儀器尺寸 | 750*560*350mm |
| 儀器重量 | 約70kg |
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