圖片描述:
使用已經(jīng)充分驗(yàn)證的惠斯通電橋原理,一個(gè)通過等離子化學(xué)氣相沉積(CVD)在不銹鋼襯底上的硅和氧化硅的薄層敏感元件構(gòu)成一個(gè)非常靈敏精確的多晶硅應(yīng)變儀。應(yīng)變儀的各元件在原子級(jí)被焊接在一起,保證了應(yīng)變儀的強(qiáng)度和完整性,一個(gè)專用的ASIC電路完成信號(hào)的放大和溫度補(bǔ)償,這種技術(shù)想用戶提供了靈活的輸出和零點(diǎn)、滿程公差,并保證了產(chǎn)品的互換性。
圖片來源: