隨著電子器件朝著高頻大功率的方向發(fā)展,傳統(tǒng)的熱沉材料氧化鋁、氨化鋁等,已經(jīng)漸漸無法滿足散熱需求。金剛石熱沉(圓形)具有散熱快、熱傳導(dǎo)率高等特點(diǎn),是熱管理材料,目前已應(yīng)用于高功率射頻器件、高功率激光二極管、雷達(dá)T/R組件以及芯片散熱等領(lǐng)域。
金剛石熱沉(圓形)的亮點(diǎn)在于其驚人的熱導(dǎo)率,高達(dá)2200W/mn.k,遠(yuǎn)高于銅的400-500W/mnk,這意味著它能更有效地將熱量從熱源轉(zhuǎn)移,隆低器件的工作溫度,從而提升整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性與壽命。此外,金剛石的低介電常數(shù)和低介電損耗,使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)秀,減少了電磁干擾,提高了信號(hào)傳輸?shù)募儍舳取?/p>
機(jī)械與化學(xué)穩(wěn)定性。除了熱性能,金剛石的機(jī)械強(qiáng)度也是其一大優(yōu)勢。它的硬度和耐磨性使得在惡劣環(huán)境中仍能保持結(jié)構(gòu)完整性,不易損壞。同時(shí),金剛石對酸堿和腐蝕的抵抗力強(qiáng),即使在高溫和輻射環(huán)境下也能保持其性能,這對于航空航天、軍事和核能領(lǐng)域的應(yīng)用至關(guān)重要。
得益于金剛石屬性,金剛熱沉片已被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域:
1.高功率半導(dǎo)體激光器:激光器在高功率運(yùn)行時(shí),金剛熱沉片能迅速散發(fā)產(chǎn)生的熱量,防止芯片過熱失效。
2.光通信:在高功率激光二極管陣列和微電子光電子器件中,金剛石的高效散熱能力保障了設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。
3.芯片散熱:對于高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)中心的CPU/GPU,金剛熱沉片可以顯著提高冷卻效率,延長組件壽命。
4.軍事與航空航天:在雷達(dá)和衛(wèi)星系統(tǒng)中,金剛熱沉片的輕質(zhì)和高強(qiáng)度特性有助于減輕重量,提高系統(tǒng)性能。
化合積電采用MPCVD法制備大尺寸、高品質(zhì)金剛石,目前已有成熟產(chǎn)品:金剛熱沉片、金剛石晶圓、金剛石窗口片、金剛石異質(zhì)集成復(fù)合襯底等,其中金剛熱沉片熱。導(dǎo)率1000-2200W/(m.K),晶圓級(jí)金剛石表面粗糙度Ra<1nm,在散熱領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛,包括高功率半導(dǎo)體激光器、光通信、芯片散熱、核聚變、航空航天等。
產(chǎn)品說明
概述:
CVD金剛石(圓形)在所有的材料中導(dǎo)熱系數(shù)高。我們生長高品質(zhì)CVD金剛石,厚度涵蓋80μm到1mm的范圍(我們也能生長厚度30nm的金剛石),是高性能的大尺寸金剛石。我們是金剛熱沉的,提供金剛熱沉。我們的CVD金剛熱沉(圓形)已廣泛地應(yīng)用于微電子和光電子等領(lǐng)域。
CVD金剛熱沉規(guī)格:
形狀 | 等級(jí) | 導(dǎo)熱系數(shù)W/mK | 尺寸 | 標(biāo)準(zhǔn)厚度 | 定制厚度范圍 |
矩形 | 中端 | 900-1000W/mK | 定制(可選) | 150μm 300μm 500μm | |
矩形 | 低端 | 700-800W/mK | 定制(可選) | 150μm 300μm 500μm | |
矩形 | 中端 低端 | 900-1000W/mK 700-800W/mK | 定制(可選) | 80μm-1mm | |
特殊幾何形狀 | 中端 低端 | 900-1000W/mK 700-800W/mK | 定制尺寸(可選) | 80μm-1m |