核心參數(shù)
儀器種類進(jìn)口輝光放電光譜儀
產(chǎn)品介紹
儀器簡介:
GDS850輝光放電光譜儀
輝光放電光譜法采用低壓,冷激發(fā)光源,材料被氬離子流均勻地從樣品表面剝離濺射。 被濺射出的材料原子在遠(yuǎn)離樣品表面低氬的等離子體內(nèi)被激發(fā)。 GDS850的配備提高了實(shí)驗(yàn)室的質(zhì)量控制和研發(fā)能力,它提供了非常準(zhǔn)確的基體分析以及成分深度剖析涂層分析和表面處理的結(jié)果。 儀器檢測光譜范圍從120到800納米,最多配置58個(gè)通道。
特征
濺射與激發(fā)分離
寬動(dòng)態(tài)范圍的線性校準(zhǔn)曲線
更小自吸收和材料再沉積
原子線激發(fā)
少和窄的發(fā)射線減少干擾
無冶金記憶效應(yīng)
較少的校準(zhǔn)標(biāo)樣
低氬氣消耗
兩次分析間的自動(dòng)清掃
均勻的濺射
其他方法可能只是激發(fā)樣品表面,所采集的數(shù)據(jù)并不一定具有代表性。而輝光放電,樣品材料均勻地從表面激發(fā)濺射, 冷光源的激發(fā)為一些困難樣品的檢測提供了很好的技術(shù)。
以下為對一個(gè)硬盤表面100nm深度每種元素3次分析的結(jié)果,可以看到每種元素隨深度的分布。
可選件
射頻光源
統(tǒng)計(jì)軟件包
光源套件
樣品夾持器
SMARTLINE遠(yuǎn)程診斷軟件求
耗材
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