詳細說明
生產(chǎn)的系列熱工設備:
【LPCVD產(chǎn)品簡介】
LPCVD是用加熱的方式在低壓條件下使氣態(tài)化合物在基片表面反應并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低.氣體分子的平均自由程和擴散系數(shù)大,故可采用密集裝片方式來提高生產(chǎn)率,并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD 用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應用于半導體集成電路、電力、電子、光電子及MEMS等行業(yè)的生產(chǎn)工藝中。
【產(chǎn) 品 特 點】
◆對工藝時間、溫度、氣體流量、閥門動作、反應室壓力實現(xiàn)自動控制。
◆采用進口壓力控制系統(tǒng),閉環(huán)控制,穩(wěn)定性強。
◆采用進口耐腐蝕不銹鋼管件、閥門,確保氣路氣密性。
◆具有完善的報警功能及安全互鎖裝置。
◆具有良好的人機界面,靈活的工藝性能。
◆采用工控機技術,具有可靠地恒壓調(diào)整控制功能。
【主要技術指標】
●適用硅片尺寸: 4~6"
●工作溫度及精度: 350 ~ 1000℃±1℃
●恒溫區(qū)長度:700mm (可根據(jù)用戶需要設計)
●升溫速率:0 ~ 15℃/分鐘 可調(diào)
●系統(tǒng)極限真空度:0.8 Pa
●工作壓力范圍:30 ~ 200Pa 可調(diào)
●淀積膜種類:Si3N4 SiO
●淀積膜均勻性:片內(nèi) <±3%; 片間 <±3%; 批間 <±4%
●淀積速率:200 ~300 ?/min (與淀積材料和工藝有關)
●操作方式: 手動、自動
●滿足半導體集成電路,電力電子器件,光電子等行業(yè)用于在硅片上淀積Si O2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜工藝