| 我公司薄膜鉑電阻：用真空沉積的薄膜技術(shù)把鉑濺射在陶瓷基片上，膜厚在2μm以內(nèi)，用玻璃燒結(jié)料把Ni（或Pd）引線固定，經(jīng)激光調(diào)阻制成薄膜元件。 | 型號 | 外型尺寸 W×L×Hmm | 標稱阻值R0 | 工作電流mA | 引線尺寸 W×L×Hmm | 工作溫度 oC | 誤差 | 外型圖 mm | | CRZ-1632-Ni | 1．6×3．2×1．0 | 100Ω | 1 | 0．25×0．15×12 | －40~450 | 1/3DIN A B 2B | | | CRZ-1632-Pd | 0．3×0．2×10 | －50~500 | | CRZ-2005-Ni | 2．0×5．0×1．0 | 2 | 0．25×0．15×12 | －40~450 | | CRZ-2005-Pd | 0．3×0．2×10 | －50~500 | | CRZ-2005-Ni | 500Ω 1000Ω | 0．5 | 0．25×0．15×12 | －40~450 | | CRZ-2005-Pd | 0．5 | 0．3×0．2×10 | －50~500 | | ST-1003-Pt | 1．0×3．0×1．3 | 20Ω | 1 | 0．25×0．15×12 | －50~500 | ◆ 薄膜鉑電阻應用的注意事項 1. 直接使用元件或制成溫度傳感器測溫時,避免超過測溫量程,短時間內(nèi)雖不會損壞亦影響產(chǎn)品壽命和精度； 2. 用薄膜鉑電阻元件組裝溫度傳感器時,在使用高溫固化環(huán)氧膠灌封時,應注意其在固化過程中應力的變化,否則可能損壞元件(一般為開路); 在使用氧化鎂或氧化鋁充填過程中,應避免元件直接接觸保護管尖銳的內(nèi)表面,否則在振動過程中,有可能使元件的瓷片邊緣破損,造成元件開路損壞； 3. 在制做溫度傳感器時,必須保證灌封材料的高度絕緣性能,否則會導致產(chǎn)品的電氣絕緣性能降低,并且影響元件的測試數(shù)據(jù),一般會導致測試電阻值偏低。 |
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