微電子芯片是一種將某個子系統(tǒng)或電子功能部件集成于芯片中,從本質上來看微電子芯片的核心在于集成電路,它是在各類半導體器件不斷發(fā)展過程中所形成。
半導體微電子芯片在制造過程中,需通過一系列的光刻、刻蝕、沉積、離子注入、研磨、清洗等工藝形成具有各種功能的半導體芯片,在形成終端產(chǎn)品前還需進行封裝和電性測試,在整個過程中將會產(chǎn)生大量的工業(yè)廢水,下面了解一下關于:微電子芯片工業(yè)的廢水的處理方法。
宏森環(huán)保處理微電子芯片工業(yè)廢水采用間歇式活性污泥法、曝氣生物濾池或者是生物接觸氧化法,微電子芯片工業(yè)廢水水處理工藝流程:
1、廢水的數(shù)值PH值為4~6狀態(tài)下,使用片狀石灰鈣固定塊,孔徑為0.3-0.5,作為吸附物的載體,并在上述片狀石灰鈣固定塊覆蓋固定網(wǎng);
2、在池內加入中和劑和混凝劑,再次測試PH值如果為達到4,將輔助混凝劑導入池內,再導入冷凝效應器中,完成混凝后以厭氧狀態(tài)將其導出;
3、進行快速凝聚反應,其中輔凝劑加入后靜置2小時;
4、將廢水噴射到蒸發(fā)器的中進行蒸發(fā)處理,廢水全部脫水為氣態(tài),蒸發(fā)時間為12~16h,蒸發(fā)溫度為180~220℃;
5、導入蒸發(fā)器中得廢水濃度為允許上限PH在4,一旦達到停止繼續(xù)放入廢水;
6、廢氣導入冷凝塔,噴淋霧狀中和劑,中和劑溫度在10℃~12℃;
7、完成冷凝,剩余的廢氣進入等離子反應器中進行電離處理;
8、冷凝塔抽取的反應水,導入最終反應池中,導入廢水處理劑,該廢水處理劑包括凈水劑聚合氯化鋁共聚物和芬頓試劑;以廢水處理劑的總重量為基準,所述聚合氯化鋁共聚物共聚物的含量為50-70wt%;
目前市場上有很多的水處理工藝是屬于單一處理的,單一處理常常導致過濾物質很快堵塞的問題,采用以上的水處理工藝可減少該問題的出現(xiàn)。