本設備為偏置靶型單靶磁控鍍膜儀,磁控靶偏置于腔體一側,濺射范圍可覆蓋樣品臺一半,通過樣品臺旋轉可以實現(xiàn)更大樣品的均勻鍍膜。理論*大支持樣品直徑為180mm。設備外形為桌面級別,大大減少了安裝場地需求。設備配有一個直流電源,可用于金屬及其他導電材料的濺射。設備真空系統(tǒng)采用渦輪分子泵組,抽氣速度快,極限真空度高,真空性能優(yōu)異。本設備結構緊湊功能完善便于使用,非常適合用于各類鍍膜試驗。
偏置靶型單靶磁控鍍膜儀技術參數(shù):
CY-MSP300G-RB (rotate bias) 桌面型大腔體偏置靶單靶磁控鍍膜儀 | ||||
樣品臺 | 尺寸 | φ150mm | 轉速 | 轉速0-20rpm可調 |
磁控濺射靶 | 數(shù)量 | 2” x1 偏置于腔體一側 |
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真空腔體 | 腔體尺寸 | φ300mm X 200mm | 觀察窗口 | 全向可視 |
腔體材料 | 高純石英 | 開啟方式 | 頂蓋拆卸式 | |
下法蘭 | 裝有旋轉式樣品臺及進出氣口 | |||
真空系統(tǒng) | 機械泵 | 雙級旋片泵 | 抽氣接口 | KF16 |
分子泵 | 渦輪分子泵 | 抽氣接口 | KF40 | |
真空測量 | 電阻規(guī)+電離規(guī)復合真空計 | 排氣接口 | KF40 | |
極限真空 | 1.0E-3Pa | 供電電源 | AC 220V 50/60Hz | |
抽氣速率 | 前級泵 1.1L/s 分子泵:60L/S | |||
電源配置 | 數(shù)量 | 直流電源 x1 | *大輸出功率 | 直流電源300W |
其他 | 供電電壓 | AC220V,50Hz | 整機尺寸 | 500mm X 320mm X6200mm |
整機功率 | 2kW |
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