芯片冷熱沖擊測試箱三箱式分為蓄冷室，蓄熱室和實(shí)驗(yàn)室，產(chǎn)品在測試時(shí)是放置在實(shí)驗(yàn)室。兩箱式分為高溫室和低溫室，是通過電機(jī)帶動(dòng)提籃運(yùn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)高低溫的切換，產(chǎn)品放在提籃里，是隨提籃一起移動(dòng)的。用戶可根據(jù)自己有實(shí)際需求選擇相關(guān)規(guī)格型號(hào)。以下是三箱部分技術(shù)參數(shù)：
控制器型號(hào):愛佩自主研發(fā)的7英寸超大觸摸AP-950可程序溫度控制器(具有溫度報(bào)警顯示、實(shí)時(shí)溫度曲線顯示)
一、電路成品恒溫恒濕試驗(yàn)箱產(chǎn)品名稱三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)（風(fēng)冷式）
二、產(chǎn)品型號(hào)3AP-CJ-80A
三、控制儀表愛佩自主研發(fā)的7英寸超大觸摸AP-950可程序溫度控制器全觸摸屏控制器，觸摸屏輸入，根據(jù)客戶要求可任意設(shè)定不同高低溫沖擊溫度點(diǎn)，滿足做測試的不同需求.
四、試樣限制本試驗(yàn)設(shè)備禁止易燃、易爆、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或
儲(chǔ)存生物試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存強(qiáng)電磁發(fā)射源試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存。
五、芯片冷熱沖擊測試箱 三箱特點(diǎn)
1、三箱設(shè)備區(qū)分為高溫區(qū)、低溫區(qū)、測試區(qū)三部分，測試樣品*靜止于測試區(qū)。采用*之蓄熱、蓄冷結(jié)構(gòu)，強(qiáng)制冷熱風(fēng)路切換方式導(dǎo)入測試區(qū)，沖擊時(shí)高溫區(qū)或低溫區(qū)的溫度沖入測試區(qū)進(jìn)行沖擊,完成冷熱溫度沖擊測試。
2、可獨(dú)立設(shè)定高溫、低溫及冷熱沖擊三種不同條件之功能，執(zhí)行冷熱沖擊條件時(shí)，可選擇2箱或3箱之功能并具有高低溫試驗(yàn)機(jī)的功能,相比于2箱沖擊它還可選擇做常溫沖擊。
容積、尺寸和重量
6.1.內(nèi)容積50L
6.2.內(nèi)箱尺寸400 *350 *350mm (W* H *D)
6.3.外型尺寸(約)1350*1900*1650mm (W* H *D)
6.4.重 量約900㎏
測試室溫度范圍：-65℃～150 ℃ (水冷式)
高溫室
預(yù)熱溫度范圍RT～+180℃
升溫時(shí)間:+60℃→+180℃ ≤40min注：升溫時(shí)間為高溫室單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能
追高溫沖擊范圍： 150℃
追低溫沖擊范圍： -65℃
高低溫沖擊范圍有：-40℃～+150℃;-55℃～+150℃;-65℃～+150℃;
高溫室儲(chǔ)存追高溫度范圍: 60℃～+200℃;
低溫室儲(chǔ)存追低溫度范圍: 60℃～-75℃;
高溫室升溫時(shí)間：+20℃～+200℃約60分鐘
低溫室降溫時(shí)間：+20℃～-75℃約100分鐘
溫度恢復(fù)時(shí)間: 3~5min（追快轉(zhuǎn)換時(shí)間在10秒鐘內(nèi)可完成）
溫度波動(dòng)度：±0.5℃
溫度偏差： ≤±2℃
高溫沖擊試驗(yàn)設(shè)備|低溫沖擊試驗(yàn)設(shè)備安全裝置:
配有:超溫保護(hù);壓縮機(jī)超壓;過載;過流保護(hù);風(fēng)機(jī)過載保護(hù)相序保護(hù),漏電保護(hù);
電源:AC380V50Hz
1、三箱設(shè)備區(qū)分為高溫區(qū)、低溫區(qū)、測試區(qū)三部分，測試樣品*靜止于測試區(qū)。采用*之蓄熱、蓄冷結(jié)構(gòu)，強(qiáng)制冷熱風(fēng)路切換方式導(dǎo)入測試區(qū)，沖擊時(shí)高溫區(qū)或低溫區(qū)的溫度沖入測試區(qū)進(jìn)行沖擊,完成冷熱溫度沖擊測試。
2、可獨(dú)立設(shè)定高溫、低溫及冷熱沖擊三種不同條件之功能，執(zhí)行冷熱沖擊條件時(shí)，可選擇2箱或3箱之功能并具有高低溫試驗(yàn)機(jī)的功能,相比于2箱沖擊它還可選擇做常溫沖
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