IGBT器件動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備

IGBT測試難點：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進行測試。

3、IGBT動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。

4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要，需要進行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試。

IGBT器件動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備認準武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等，*國產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測試工藝，為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合，幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案。為半導(dǎo)體封測廠家提供相關(guān)測試儀表、測試平臺，以及相關(guān)技術(shù)服務(wù)，滿足行業(yè)對測試效率、測試精度，以及低成本的挑戰(zhàn)。

那么IGBT器件動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備需要哪些儀器呢？

E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設(shè)備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。

E300高電壓源測單元

P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達10A，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者，特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

P系列脈沖源表

總之，IGBT器件動態(tài)參數(shù)測試需要的儀器是一系列的，具體可以找生產(chǎn)廠家普賽斯儀表為您提供檢測方案哦！