激光鍍膜設(shè)備用途:
激光鍍膜設(shè)備用于生長(zhǎng)光學(xué)晶體、鐵電體、鐵磁體、超導(dǎo)體和有機(jī)化合物薄膜材料,適用于生長(zhǎng)高熔點(diǎn)、多元素及含有氣體元素的復(fù)雜層狀超晶格薄膜材料。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所進(jìn)行薄膜材料的科研與小批量制備。
激光鍍膜設(shè)備技術(shù)參數(shù):
主真空室 | 球型結(jié)構(gòu),尺寸? 450mm | |
進(jìn)樣室 | 圓筒型立式結(jié)構(gòu),尺寸? 150x 150mm | |
真空系統(tǒng)配置 | 主真空室 | 分子泵與機(jī)械泵,閥門 |
進(jìn)樣室 | 分子泵與機(jī)械泵(與主真空室共用),閥門 | |
極限壓力 | 主真空室 | ≦6*10-6Pa(經(jīng)烘烤除氣后) |
進(jìn)樣室 | ≦6*10-3Pa(經(jīng)烘烤除氣后) | |
恢復(fù)真空時(shí)間 | 主真空室 | 20分鐘可達(dá)到5*10-3Pa(系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_始抽氣) |
進(jìn)樣室 | 20分鐘可達(dá)到5*10-3Pa(系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_始抽氣) | |
旋轉(zhuǎn)靶臺(tái) | 靶材*大尺寸約60mm;可一次安裝4塊靶材,可實(shí)現(xiàn)公轉(zhuǎn)換靶;每塊靶材可自轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5~60轉(zhuǎn)/分
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基片加熱臺(tái) | 樣品尺寸 | ?51 |
運(yùn)動(dòng)方式 | 基片可連續(xù)回轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5~60轉(zhuǎn)/分 | |
加熱溫度 | 基片加熱高溫度800C±1 C,可控可調(diào) | |
氣路系統(tǒng) | 質(zhì)量流量控制器1路,充氣閥1路 | |
可選部件 | 激光器裝置 | 配相干201激光器 |
激光束掃描裝置 | 二維掃描機(jī)械平臺(tái),執(zhí)行兩自由度掃描 | |
計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng) | 控制的內(nèi)容主要有公轉(zhuǎn)換靶,靶自轉(zhuǎn),樣品自轉(zhuǎn)、樣品控溫、激光束掃描等 | |
設(shè)備占地面積 | 主機(jī) | 1800 * 1800mm2 |
電控柜 | 700 *700mm2(1個(gè))
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