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雪崩能量測(cè)試儀華科智源

參考價(jià)	￥ 60000
訂貨量	≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)ITC55100
所在地深圳市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2020/10/23 14:54:36
訪問(wèn)次數(shù)807

產(chǎn)品標(biāo)簽:

IGBT測(cè)試儀 IGBT測(cè)試儀設(shè)備 IGBT靜態(tài)測(cè)試儀 IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀功率半導(dǎo)體測(cè)試儀

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的*，坐落于改革開(kāi)放之都-中國(guó)深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀，MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀，MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，在線式檢修用IGBT測(cè)試儀，變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀，IGBT模塊測(cè)試儀，軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀，產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等；
華夏神州，科技興國(guó)，智能創(chuàng)新，源遠(yuǎn)流長(zhǎng)；華科智源公司核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國(guó)內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建，致力于中國(guó)功率半導(dǎo)體事業(yè)，積極響應(yīng)國(guó)家提出的中國(guó)制造2025戰(zhàn)略，投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商，2025中國(guó)制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來(lái)料選型。

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首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng)，SMT智能首件檢測(cè)儀，首樣檢測(cè)，首板確認(rèn)

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產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)	產(chǎn)品新舊	全新

雪崩能量測(cè)試儀華科智源主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測(cè)試。測(cè)試電流 200A，電壓 4500V，雪崩能量可達(dá)2000J。測(cè)試的電壓和電流波形同時(shí)被采集到示波器，并由示波器與工控機(jī)直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，計(jì)算機(jī)將測(cè)試數(shù)據(jù)以EXCEL表格形式顯示并進(jìn)行終的編輯和打印。

雪崩能量測(cè)試儀華科智源產(chǎn)品信息

雪崩能量測(cè)試儀功能指標(biāo)：

配置	測(cè)試范圍	測(cè)試參數(shù)	條件	范圍
電壓 1000V	IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管	EAS/單脈沖雪崩能量	VCE	20V～4500V	20~100V±3%±1V 100~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V
電流 200A	MOSFETs MOS場(chǎng)效應(yīng)管	EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量	Ic	1mA～200A	1mA～100mA±3%±0.1mA 100mA～2A±3%±5mA 2A～200A±3%±50mA
	DIODEs 二極管	IAS/單脈沖雪崩電流	Ea	1J～2000J	1J～100J±3%±1J 100J～500J±3%±5J 500J～2000J±3%±10J
		PAS/單脈沖雪崩功率	IC檢測(cè)	50mV/A（取決于傳感器）
			感性負(fù)載	10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、
			重復(fù)間隙時(shí)間	1~60s可調(diào)（步進(jìn)1s）重復(fù)次數(shù)：1~50次