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鄭州成越科學(xué)儀器有限公司>>磁控濺射鍍膜儀>>CY-MSP500S-2DC-1RF三靶向上磁控濺射鍍膜儀

三靶向上磁控濺射鍍膜儀

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  • 三靶向上磁控濺射鍍膜儀

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  • 型號 CY-MSP500S-2DC-1RF
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更新時間:2023-05-09 08:23:41瀏覽次數(shù):327

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產(chǎn)品簡介

簡單介紹: 三靶磁控濺射鍍膜儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介電薄膜、光學(xué)薄膜、氧化膜、硬薄膜、聚四氟乙烯薄膜等

詳細介紹

詳情介紹:

三靶磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發(fā)的高性價比磁控濺鍍設(shè)備,具有標準化、模塊化、定制化的特點。該設(shè)備可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介電薄膜、光學(xué)薄膜、氧化膜、硬薄膜、聚四氟乙烯薄膜等,三種靶材可以滿足多層或多層涂層的需要。與同類設(shè)備相比,三靶磁控濺射鍍膜儀不僅應(yīng)用廣泛,而且具有體積小、操作方便等優(yōu)點。它是實驗室制備材料薄膜的理想設(shè)備。

三靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù):

三靶磁控濺射鍍膜機(直流電源+射頻電源)

樣品臺

濺射模式

濺射方向向上,樣品臺位于濺射靶上方;

中心頂部設(shè)置樣品架,帶一個擋板;

樣品臺

φ150mm

控制精度

±1

加熱范圍

室溫~500

可調(diào)轉(zhuǎn)速

1-20rpm可調(diào)

靶基距離可調(diào)

靶材和襯底之間的距離可以電動調(diào)節(jié)

 

 

磁控靶槍

靶面

圓形平面靶

濺射真空

10Pa0.2Pa

靶材直徑

5050.8mm

靶材厚度

25mm

注:如果靶是磁性材料(如Fe、CoNi),厚度不能超過1.5mm,需要強磁濺射靶槍,需要額外采購。

絕緣電壓

>2000V

數(shù)量

2 英寸*3;每個濺射靶槍上都有擋板

電纜規(guī)格

SL-16

靶頭溫度

65

 

真空腔體

內(nèi)壁處理

 

電解拋光

腔體尺寸

φ300mm × 350mm

腔體材料

304 不銹鋼

觀察窗口

石英窗,直徑φ100mm,帶擋板

密封方法

氟橡膠密封

打開方式

頂部開口,氣缸輔助支架

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

氣體控制系統(tǒng)

流量控制

三通道質(zhì)量流量計:

 

氧氣:范圍0100SCCM

氬氣:范圍0200SCCM

氮氣:范圍0500SCCM

(注意:為了實現(xiàn)更高的無氧環(huán)境,必須用高純度惰性氣體清潔真空室至少3次。)

氣體類型

氬氣、氮氣、氧氣和其他惰性氣體

控制閥類型

電磁閥

控制閥靜態(tài)

常閉

測量線性度

±1.5% F.S

測量重復(fù)性

±0.2% F.S

測量響應(yīng)時間

≤8 secondsT95

工作壓力范圍

0.3MPa

閥體壓力

3MPa

工作溫度

545

閥體材料

不銹鋼 316L

閥體泄漏率

1×10-8Pa.m3/s

管道接頭

1/4″壓縮接頭

輸入和輸出信號

05V

電源

±15V±5%)(+15V  50mA,  15V 200mA

外形尺寸(mm)

130 () × 102 () × 28 ()

通信接口Interface

RS485 MODBUS 協(xié)議

直流電源

電源

500W

輸出電壓

0600V

*大輸出電流

1A

正時長度

65000 S

開始時間

110 S

數(shù)量

2

射頻電源

電源

500W

功率輸出范圍

0W-500W, 帶自動匹配

*大反射功率

100W

RF頻率

13.56MHz+/-0.005% 穩(wěn)定性

電源穩(wěn)定性

≤5W

諧波分量

小于 -50dbc

數(shù)量

1

整體的極限真空

5×10-5Pa

真空室增壓率

2.5Pa/h



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