IGBT動態(tài)參數(shù)開關(guān)短路反向恢復測試

IGBT動態(tài)參數(shù)開關(guān)短路反向恢復測試

半導體器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述

IGBT是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導體開關(guān)器件，其開關(guān)特性決定裝置的開關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性，直接影響變換器的性能。因此準確測量功率開關(guān)元件的開關(guān)性能具有極其重要的實際意義。

天光測控IGBT動態(tài)參數(shù)開關(guān)短路反向恢復測試，該系統(tǒng)是針對IGBT器件的開關(guān)性特性及IGBT內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復特性而專門設(shè)計的一套全自動測試系統(tǒng)，適用于電流不超過1500A和集電極電壓不超過3500V的IGBT器件開關(guān)時間測試以及正向電流不超過2000A的二極管反向恢復特性的測試。

基礎(chǔ)規(guī)格

規(guī)    格：1800×800×800（mm）

質(zhì)    量：155Kg

環(huán)境溫度：15～40℃

相對濕度：小于80%

大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa

電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴重諧波

電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz

產(chǎn)品系列

晶體管圖示儀
半導體分立器件測試篩選系統(tǒng)
靜態(tài)參數(shù)（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
動態(tài)參數(shù)（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
環(huán)境老化（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
熱  特  性（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可測試 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs /  DIODEs / BJTs / SCRs等功率器件