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詳細(xì)介紹
晶體管圖示儀產(chǎn)品介紹
HUSTEC2005是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體晶體管圖示系統(tǒng)，本系統(tǒng)可自動(dòng)生成功率器件的I-V曲線，也可根據(jù)客戶的實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)在失效分析，IQC來(lái)料檢驗(yàn)及高校實(shí)驗(yàn)室等部門有廣泛的應(yīng)用。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。系統(tǒng)典型的測(cè)試時(shí)間是6to20ms,通常上百個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)曲線只需要幾秒鐘時(shí)間便可以展現(xiàn)出來(lái)，數(shù)據(jù)捕獲的曲線可導(dǎo)入EXCEL等格式進(jìn)一步分析研究，是一款高效多功能的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
系統(tǒng)提供過(guò)電保護(hù)功能，門極過(guò)電保護(hù)適配器提供了廣泛的診斷測(cè)試。這些自我測(cè)試診斷被編成測(cè)試代碼,以提供自我測(cè)試夾具,在任何時(shí)間都可以檢測(cè)。對(duì)診斷設(shè)備狀態(tài)和測(cè)試結(jié)果提供了可靠地保證。
晶體管圖示儀基本配置
1.測(cè) 試 電 壓： 0-2KV
2.測(cè) 試 電 流： 0-50A，
(可擴(kuò)展到1000A)
3.電 壓分辨率： 1mV
4.電流 分辨率： 0.1nA
5.測(cè) 試 精 度： 0.2%+2LSB
6.測(cè)試速度：0.2MS/參數(shù)
測(cè)試器件的種類
1 雙向可控硅（TRIAC）
2 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（J-FET ）
3 MOS場(chǎng)效應(yīng)管（Power MOSFET）
4 晶體管（Transistor）
5 絕緣柵雙*功率晶體管（IGBT）
6 達(dá)林頓陣列(Darliknton)
7 可控硅整流器（SCR ）
8穩(wěn)壓/齊納二極管（Zener）
9 三端穩(wěn)壓器（REGULATOR ）
10 光電耦合器（OPTO-COUPLER）
11 二極管(Diode)
12 雙向觸發(fā)二極管（DIAC)
13 固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器（SOVP）
14 繼電器（RELAY）
曲線測(cè)試種類
ID vs. VDS at range of VGS ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD RDS vs. VGS at fixed ID
IDSS vs. VDS RDS vs. ID at several VGS
HFE vs. IC BVCE（O,S,R,V） vs. IC
BVEBO vs. IE BVCBO vs. IC
VCE（SAT） vs. IC VBE（SAT） vs. IC
VBE（ON） vs. IC VCE（SAT） vs. IB
系統(tǒng)特點(diǎn)
1.圖形顯示功能
2.局部放大功能
3.程序保護(hù)大電流/電壓,以防損壞
4.品種繁多的曲線
5.可編程的數(shù)據(jù)點(diǎn)對(duì)應(yīng)
6.增加線性或?qū)?shù)
7.可編程延遲時(shí)間可減少器件發(fā)熱
8.保存和重新導(dǎo)入入口程序
9.保存和導(dǎo)入之前捕獲圖象
10.曲線數(shù)據(jù)直接導(dǎo)入到EXCEL
11.曲線程序和數(shù)據(jù)自動(dòng)存入EXCEL
12.程序保護(hù)大電流/電壓,以防損壞
技術(shù)要求
工作溫度：25℃--40℃
貯存溫度: -15℃--50℃
工作濕度：45%--80%
貯存濕度：10%--90%
工作電壓：200v--240v
電源頻率：47HZ--63HZ
接地要求：供電電源應(yīng)良好接地。
通信接口：RS232 USB
系統(tǒng)功耗：<150w
設(shè)備尺寸：450mm×570mm×280mm
測(cè)試功能
HUSTEC2005 測(cè)試系統(tǒng)是一套高速多用途半導(dǎo)體分立器件智能測(cè)試系統(tǒng)，它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測(cè)試能力，可真實(shí)準(zhǔn)確測(cè)試下列各種大、中、小功率的半導(dǎo)體分立器件。
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