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Nanotrac wave II納米粒度及zeta電位儀 粒度分析儀

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更新時間:2023-07-15 09:31:06瀏覽次數(shù):1352

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地 國產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
Nanotrac wave II納米粒度及zeta電位儀準確性:全量程米氏理論及非球形顆粒校正因子,測量精度: 無需預選,依據(jù)實際測量結(jié)果,自動生成單峰/多峰分布結(jié)果。

詳細介紹

Nanotrac wave II納米粒度及zeta電位儀

Zeta電位測量:
美國麥奇克有限公司(Microtrac Inc.)以其在激光衍射/散射技術(shù)和顆粒表征方面的獨到見解,經(jīng)過多年的市場調(diào)研和潛心研究,開發(fā)出新一代Nanotrac wave II微電場分析技術(shù),融納米顆粒粒度分布與Zeta電位測量于一體,無需傳統(tǒng)的比色皿,一次進樣即可得到準確的粒度分布和Zeta電位分析數(shù)據(jù)。與傳統(tǒng)的Zeta電位分析技術(shù)相比,Nanotrac wave II采用*的“Y”型光纖探針光路設計,配置膜電極產(chǎn)生微電場,操作簡單,測量迅速,無需精確定位由于電泳和電滲等效應導致的靜止層,無需外加大功率電場,無需更換分別用于測量粒度和Zeta電位的樣品池,*消除由于空間位阻(不同光學元器件間的傳輸損失,比色皿器壁的折射和污染,比色皿位置的差異,分散介質(zhì)的影響,顆粒間多重散射等)帶來的光學信號的損失,結(jié)果準確可靠,重現(xiàn)性好。

Nanotrac wave II納米粒度及zeta電位儀技術(shù)參數(shù):

粒度分析范圍: 0.3nm-10µm

重現(xiàn)性:誤差≤1%

濃度范圍:100ppb-40%w/v

檢測角度:180°

分析時間:30-120秒

準確性:全量程米氏理論及非球形顆粒校正因子

測量精度: 無需預選,依據(jù)實際測量結(jié)果,自動生成單峰/多峰分布結(jié)果

理論設計溫度:0-90℃,可以進行程序升溫或降溫

兼容性:水相和有機相

測量原理:

粒度測量:動態(tài)光背散射技術(shù)和全量程米氏理論處理
Zeta電位測量:膜電極設計與“Y”型探頭形成微電場測量電泳遷移率
分子量測量:水力直徑或德拜曲線

光學系統(tǒng):

3mW780nm半導體固定位置激光器,通過梯度步進光纖直接照射樣品,在固定位置用硅光二極管接受背散射光信號,無需校正光

軟件系統(tǒng):

*的Microtrac FLEX軟件提供強大的數(shù)據(jù)處理能力,包括圖形,數(shù)據(jù)輸出/輸入,個性化輸出報告,及各種文字處理功能,如PDF格式輸出, Internet共享數(shù)據(jù),Microsoft Access格式(OLE)等。體積,數(shù)量,面積及光強分布,包括積分/微分百分比和其他分析統(tǒng)計數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)的完整性符合21 CFR PART 11安全要求,包括口令保護,電子簽名和*等。

外部環(huán)境:

電源要求:90-240VAC,5A,50/60Hz
環(huán)境要求:溫度,10-35°C

標準:符合ISO13321,ISO13099-2:2012 和 ISO22412:2008

主要特點:
﹡采用新的動態(tài)光散射技術(shù),引入能普概念代替?zhèn)鹘y(tǒng)光子相關(guān)光譜法
﹡“Y”型光纖光路系統(tǒng),通過藍寶石測量窗口,直接測量懸浮體系中的顆粒粒度分布,在加載電流的情況下,與膜電極對應產(chǎn)生微電場,測量同一體系的Zeta電位, 避免樣品交叉污染與濃度變化。
﹡異相多譜勒頻移技術(shù),較之傳統(tǒng)的方法,獲得光信號強度高出幾個數(shù)量級,提高分析結(jié)果的可靠性。
﹡可控參比方法(CRM),能精細分析多譜勒頻移產(chǎn)生的能譜,確保分析的靈敏度。
﹡超短的顆粒在懸浮液中的散射光程設計,減少了多重散射現(xiàn)象的干擾,保證高濃度溶液中納米顆粒測試的準確性。
﹡快速傅利葉變換算法(FFT,F(xiàn)ast FourierTransform Algorithm Method),迅速處理檢測系統(tǒng)獲得的能譜,縮短分析時間。
﹡膜電極設計,避免產(chǎn)生熱效應,能準確測量顆粒電泳速度。
﹡無需比色皿,毛細管電泳池或外加電極池,僅需點擊Zeta電位操作鍵,一分鐘內(nèi)即可得到分析結(jié)果
﹡消除多種空間位阻對散射光信號的干擾,諸如光路中不同光學元器件間傳輸?shù)膿p失,樣品池位置不同帶來的誤差,比色皿器壁的折射與污染,分散介質(zhì)的影響,多重散射的衰減等,提高靈敏度。

 

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