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前端預(yù)熱雙溫區(qū)滑軌PECVD

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更新時間:2021-04-23 17:08:56瀏覽次數(shù):512

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地 國產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
特點及用途:
通過反應(yīng)氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式,低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點,工藝流程簡單。

詳細(xì)介紹

特點及用途:

PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式,低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點,工藝流程簡單。

配有前端預(yù)加熱爐,輔助固態(tài)源蒸發(fā),后端為單溫區(qū)加熱爐 ,溫度控制精確,操作簡便,對于氣相沉積,二維材料,等離子處理生長工藝非常合適,也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。

1.與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較,生長溫度更低。

 2.使用滑軌爐實現(xiàn)快速升溫和降溫。

 3.設(shè)備*的*技術(shù)使得整管輝光均勻等效,均勻生長

 

1.加熱系統(tǒng)

*溫度

1200℃

使用溫度

≤1100℃

爐膛有效尺寸

Φ50mm(爐管直徑可根據(jù)實際需要定制)

爐膛材料

氧化鋁、高溫纖維制品

熱電偶類型

K型熱電偶

控溫精度

±1℃

控溫方式

30段可編程控溫,PID參數(shù)自整定

加熱長度

200+200mm

恒溫長度

100+100mm

加熱原件

電阻絲

供電電源

單相,220V,50Hz

2、預(yù)熱系統(tǒng)系統(tǒng)

*溫度

400℃

爐膛有效尺寸

Φ50mm(爐管直徑可根據(jù)實際需要定制)

爐膛材料

氧化鋁、高溫纖維制品

熱電偶類型

K型熱電偶

控溫精度

±1℃

控溫方式

30段可編程控溫,PID參數(shù)自整定

加熱長度

100mm

加熱原件

電阻絲

額定功率

800W

 

3、PE系統(tǒng)

功率輸出范圍

0W~500W

*反射功率

100W

射頻輸出接口

50 Ω, N-type, female

功率穩(wěn)定度

≤5W

諧波分量

≤-50dbc

供電電壓

單相交流(187V-253V) 頻率50/60HZ

整機效率

>=70%

功率因素

>=90%

冷卻方式

強制風(fēng)冷

 

4、三路質(zhì)子流量控制系統(tǒng)

連接頭類型

雙卡套不銹鋼接頭

標(biāo)準(zhǔn)量程(N2)

50sccm,100sccm、500sccm

(可根據(jù)用戶要求定制)

準(zhǔn)確度

±1.5%F.S

線性

±1%F.S

重復(fù)精度

±0.2%F.S

響應(yīng)時間

氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec

工作壓差范圍

0.1~0.5 MPa

*壓力

3MPa

接口

Φ6,1/4''

顯示

4位數(shù)字顯示

工作環(huán)境溫度

5~45高純氣體

壓力真空表

-0.1~0.15 MPa, 0.01 MPa/格

截止閥

Φ6

內(nèi)外雙拋不銹鋼管

Φ6

 

5、低真空機組

空氣相對濕度

≤85%

工作環(huán)境

5℃~40℃

工作電電壓

280V

抽氣速率

32m³/h

極限真空

5X10-1Pa(空載冷態(tài))

工作壓力范圍

1.01325X105~1.33X10-2Pa

耐壓值

0.03MPa

進(jìn)氣口口徑

KF40

排氣口口徑

KF40

連接方式

采用波紋管,手動擋板閥與波紋管相連

 

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