TC Wafer晶圓測溫系統(tǒng) 半導體晶圓硅片測溫 

引言

半導體行業(yè)的高速發(fā)展使得晶圓制造過程的溫度控制變得至關重要。溫度變化可能會對晶圓的性能、質(zhì)量和產(chǎn)量產(chǎn)生直接影響。為了實現(xiàn)更精確的溫度監(jiān)測和控制，TC Wafer晶圓測溫系統(tǒng)應運而生。

Wafer-TC晶圓熱電偶溫度傳感器利用熱電效應來測量溫度。其基本原理是在晶圓表面埋入微小的熱電偶元件，當晶圓表面溫度發(fā)生變化時，熱電偶產(chǎn)生微弱的電壓信號。通過測量這些電壓信號，可以準確地計算出晶圓的溫度變化。

產(chǎn)品介紹

TC Wafer晶圓測溫系統(tǒng)是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對晶圓表面的溫度進行實時測量。通過晶圓的測溫點了解特定位置晶圓的真實溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監(jiān)控半導體設備控溫過程中晶圓發(fā)生的溫度變化，獲得升溫、降溫以及恒溫過程期間的溫度溫度數(shù)據(jù)，從而了解半導體設備的溫度均勻度。

產(chǎn)品特點

*傳輸通道數(shù)量可定制

*優(yōu)異的軟件功能，可用圖形及顏色顯示溫度分布狀況

*數(shù)據(jù)可儲存調(diào)用

*可提供溫度曲線圖，方便直觀的看到溫度變化趨勢

*真空環(huán)境下，溫度傳感器保持高精度和良好的穩(wěn)定性

產(chǎn)品應用

晶圓熱處理：在晶圓加工過程中，需要對晶圓進行精確的溫度控制，以確保所需的材料性能和結(jié)構(gòu)。

晶圓降溫：晶圓從高溫狀態(tài)降溫時，需要監(jiān)測溫度變化，以避免溫度梯度引起的應力和熱應力。

薄膜沉積：在薄膜沉積過程中，溫度的精確控制可以影響薄膜的厚度、均勻性和質(zhì)量。

等離子體刻蝕：溫度變化可能會影響刻蝕速率和表面質(zhì)量，因此需要實時監(jiān)測和控制溫度。

TC Wafer晶圓測溫系統(tǒng) 半導體晶圓硅片測溫