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上海百賀儀器科技有限公司
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更新時(shí)間：2024-05-10 07:51:57瀏覽次數(shù)：242
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JSM-7200F的主要特點(diǎn)有：應(yīng)用了浸沒(méi)式肖特基電子槍技術(shù)的電學(xué)系統(tǒng)；
利用GB（Gentle Beam 模式）和各種檢測(cè)器在低加速電壓下能高分辨觀
察和選擇信號(hào)的TTLS系統(tǒng)（Through-The-Lens System）；電疊加的混
合式物鏡。
浸沒(méi)式肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍為日本電子的技術(shù)，通過(guò)對(duì)電子槍和低像差聚光鏡進(jìn)行優(yōu)化，能有效利用從電子槍中發(fā)射的電子，即使電子束流很大也能獲得很細(xì)的束斑。因而可以實(shí)現(xiàn)高通量分析（EDS、WDS面分析、EBSD分析等）。
TTLS（through-the-lens系統(tǒng)）是利用GB(Gentle Beam 模式）在低加速電壓下能進(jìn)行高
分辨率觀察和信號(hào)選擇的系統(tǒng)。 利用GB（Gentle Beam 模式）通過(guò)給樣品加以偏壓，對(duì)入
射電子有減速、對(duì)樣品中發(fā)射出的電子有加速作用，即使在低加速電壓（入射電壓）下，也
能獲得信噪比良好的高分辨率圖像。
此外，利用安裝在TTLS的能量過(guò)濾器過(guò)濾電壓，可以調(diào)節(jié)二次電子的檢測(cè)量。這樣在極低加
速電壓的條件下，用高位檢測(cè)器（UED）就可以只獲取來(lái)自樣品淺表面的大角度背散射電子。
因過(guò)濾電壓用UED沒(méi)有檢測(cè)出的低能量電子，可以用高位二次電子檢測(cè)器（USD，選配件）檢
測(cè)出來(lái)，因此JSM-7200F能同時(shí)獲取二次電子像和背散射電子像。
JSM-7200F的物鏡采用了日本電子新開(kāi)發(fā)的混合式透鏡。
這種混合式透鏡是組合了磁透鏡和靜電透鏡的電磁場(chǎng)疊加型物鏡，比傳統(tǒng)的out-lens像差小，能獲得更高的空間分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性，所以可以觀察和分析磁性材料樣品。
