詳細介紹
功能特點:
在真空壓力下,加在電感線圈的射頻電場,使反應室氣體發(fā)生輝光放電,在輝光發(fā)電區(qū)域產生大量的電子。這些電子在電場的作用下獲得充足的能量,其本身溫度很高,它與氣體分子相碰撞,使氣體分子活化。它們吸附在襯底上,并發(fā)生化學反應生成介質膜,副產物從襯底上解吸,隨主氣流由真空泵抽走,稱為等離子體增強化學氣相沉(PECVD)
產品用途:
PECVD開啟式管式爐系統由開啟式管式爐、高真空分子泵系統、射頻電源系統及多通道高精度數字質量流量控制系統組成,是實驗室生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復合薄膜等的理想選擇。
適用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備,生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復合薄膜等,也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用
產品參數
在真空壓力下,加在電感線圈的射頻電場,使反應室氣體發(fā)生輝光放電,在輝光發(fā)電區(qū)域產生大量的電子。這些電子在電場的作用下獲得充足的能量,其本身溫度很高,它與氣體分子相碰撞,使氣體分子活化。它們吸附在襯底上,并發(fā)生化學反應生成介質膜,副產物從襯底上解吸,隨主氣流由真空泵抽走,稱為等離子體增強化學氣相沉(PECVD)
產品用途:
PECVD開啟式管式爐系統由開啟式管式爐、高真空分子泵系統、射頻電源系統及多通道高精度數字質量流量控制系統組成,是實驗室生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復合薄膜等的理想選擇。
適用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備,生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復合薄膜等,也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用
產品參數
- 控溫方式:采用人工智能調節(jié)技術,具有PID調節(jié)、自整定功能,并可編制30段升降溫程序。
- 加熱元件:0Cr27Al7Mo2
- 工作電源:AC220V 50Hz/60Hz
- 額定功率:4kw
- 爐管材質:高純石英管
- 爐管尺寸:Φ60/Φ80*1200mm
- 工作溫度:≤1150℃(可定制)
- 溫度:1200℃(可定制)
- 恒溫精度:±1℃
- 恒溫區(qū):200mm(可定制)
- 升溫速度:≤10℃/min
- 密封方式:不銹鋼快速法蘭擠壓密封
- 極限真空:6.0×10-5Pa
- 工作真空:7.6×10-4Pa
- 產品配置:雙級旋片真空泵+分子泵
- 測量方式:復合真空計
- 真空規(guī)管:電阻規(guī)+電離規(guī)
- 冷卻方式:風冷
- 抽速:110L/S
- 射頻電源系統
- 射頻功率輸出范圍:5~500W
- 射頻頻率:13.56MHz±0.005%
- 噪聲:≤55DB
- 冷卻方式:風冷
- 功率溫定度:± 0.1%
- 混氣系統流量規(guī)格:0-200sccm (可根據客戶需要配置)
- 線性:±1.5%F.S
- 準確度:±1.5%F.S
- 重復精度:±0.2%F.S.
- 響應時間:≤8sec
- 耐壓:3MPa
- 氣路通道:4通道(根據客戶需求)
- 針閥:316不銹鋼
- 管道:Φ6mm不銹鋼管
- 接口:SwagelokΦ6mm