詳細(xì)介紹
ICP-OES
美國(guó)熱電公司IRIS Intrepid II XSP 型ICP-OES,
主要技術(shù)指標(biāo):
焦距:381 mm
波長(zhǎng)范圍:165~1050 nm, (可測(cè)量Br, Cl, I元素)
分辨率:0.005nm在200 nm處
雜散光: < 0.3 ppm,10000 ppmCa 在As193.696 nm處
全波長(zhǎng)自動(dòng)校正
晶體控制頻率:27.12 MHz
頻率穩(wěn)定性:0.004%
輸出功率: 750~1500 W連續(xù)可調(diào)。
功率穩(wěn)定性:0.01%
ICP 觀測(cè)方式:垂直炬
二手ICP-OES ,性能良好,維護(hù)處理,質(zhì)保期一個(gè)月