鄭州芳泉EDI純水設(shè)備模塊 超純水設(shè)備 EDI純水設(shè)備生產(chǎn)供應(yīng)

鄭州芳泉EDI純水設(shè)備模塊 超純水設(shè)備 EDI純水設(shè)備生產(chǎn)供應(yīng)

EDI的基本工作原理：
EDI(ELECTRO-DE-IONIZATION)是一種將離子交換技術(shù)、離子交換膜技術(shù)和離子電遷移技術(shù)(電滲析技術(shù))相結(jié)合的純水制造技術(shù)。該技術(shù)利用離子交換能深度脫鹽來(lái)克服電滲析極化而脫鹽不*,又利用電滲析極化而發(fā)生水電離產(chǎn)生H和OH離子實(shí)現(xiàn)樹(shù)脂自再生來(lái)克服樹(shù)脂失效后通過(guò)化學(xué)藥劑再生的缺陷,是20世紀(jì)80年代以來(lái)逐漸興起的新技術(shù)。經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展,EDI技術(shù)已經(jīng)在北美及歐洲占據(jù)了相當(dāng)部分的超純水市場(chǎng)
EDI裝置包括陰/陽(yáng)離子交換膜、離子交換樹(shù)脂、直流電源等設(shè)備。其中陰離子交換膜只允許陰離子透過(guò),不允許陽(yáng)離子通過(guò),而陽(yáng)離子交換膜只允許陽(yáng)離子透過(guò),不允許陰離子通過(guò)。離子交換樹(shù)脂充夾在陰 陽(yáng)離子交換膜之間形成單個(gè)處理單元,并構(gòu)成淡水室。單元與單元之間用網(wǎng)狀物隔開(kāi),形成濃水室。在單元組兩端的直流電源陰 陽(yáng)電極形成電場(chǎng)。來(lái)水水流經(jīng)淡水室,水中的陰 陽(yáng)離子在電場(chǎng)作用下通過(guò)陰 陽(yáng)離子交換膜被清除,進(jìn)入濃水室。在離子交換膜之間充填的離子交換樹(shù)脂大大地提高了離子被清除的速度。同時(shí),水分子在電場(chǎng)作用下產(chǎn)生氫離子和氫氧根離子,這些離子對(duì)離子交換樹(shù)脂進(jìn)行連續(xù)再生,以使離子交換樹(shù)脂保持狀態(tài)。EDI裝置將給水分成三股獨(dú)立的水流:純水、濃水、和極水。純水(90%-95%)為最終得到水,濃水(5%-10%)可以再循環(huán)處理,極水(1%)排放掉。圖2表示了ＥＤＩ的凈水基本過(guò)程。
EDI裝置屬于精處理水系統(tǒng),一般多與反滲透(RO)配合使用,組成預(yù)處理、反滲透、EDI裝置的超純水處理系統(tǒng),取代了傳統(tǒng)水處理工藝的混合離子交換設(shè)備。EDI裝置進(jìn)水要求為電阻率為0.025-0.5ＭΩ·ｃｍ,反滲透裝置*可以滿足要求。EDI裝置可生產(chǎn)電阻率高達(dá)18ＭΩ·ｃｍ以上的超純水。

EDI設(shè)備一般以反滲透（RO）純水作為EDI給水。RO純水電阻率一般是40-2μS/cm（25℃)。EDI純水電阻率可以高達(dá)18 MΩ.cm(25℃)，但是根據(jù)去離子水用途和系統(tǒng)配置設(shè)置，EDI純水適用于制備電阻率要求在1-18.2MΩ.cm(25℃)的純水。EDI技術(shù)被制藥工業(yè)、微電子工業(yè)、發(fā)電工業(yè)和實(shí)驗(yàn)室所普遍接受。在表面清洗、表面涂裝、電解工業(yè)和化工工業(yè)的應(yīng)用也日趨廣泛。

EDI純水設(shè)備安裝要求：
1、無(wú)須專做安裝基礎(chǔ)，地基堅(jiān)實(shí)水平即可
2、入水水壓如低于0.2 Mpa需加裝管道泵
3、使用前需先沖洗管道，避免雜質(zhì)堵塞閥體，污染樹(shù)脂
4、不可用加碘鹽、加鈣鹽作再生劑，定期向鹽罐加鹽，確保鹽水飽和濃度（應(yīng)保證溶 解時(shí)間不小于六小時(shí)）。

EDI純水設(shè)備應(yīng)用范圍：

電子、電鍍、電泳、化工、光學(xué)工純水超純水設(shè)備，單晶硅半導(dǎo)體、集成電路芯片、顯像管、計(jì)算機(jī)硬盤、玻殼、液晶顯示器、光學(xué)玻璃清洗、汽車、家用電器、五金、塑料、飾品、建材產(chǎn)品表面涂裝、、電池（蓄電池）生產(chǎn)；陽(yáng)極、陰極電泳漆超濾回收及*系統(tǒng)等；化工反應(yīng)冷卻、電鍍配液、化學(xué)藥劑、精細(xì)化工制造過(guò)程用工藝純水等行業(yè)。

詳情：