無錫冠亞制冷加熱控溫系統(tǒng)的典型應用：
高壓反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、
雙層玻璃反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、
雙層反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、
微通道反應器冷熱源恒溫控制；
小型恒溫控制系統(tǒng)、
蒸餾系統(tǒng)控溫、
材料低溫高溫老化測試、
組合化學冷源熱源恒溫控制、
半導體設備冷卻加熱、
真空室制冷加熱恒溫控制。
| 型號 | SUNDI-320 | SUNDI-420W | SUNDI-430W | |
|---|---|---|---|---|
| 介質(zhì)溫度范圍 | -30℃～180℃ | -40℃～180℃ | -40℃～200℃ | |
| 控制系統(tǒng) | 前饋PID ,無模型自建樹算法，PLC控制器 | |||
| 溫控模式選擇 | 物料溫度控制與設備出口溫度控制模式 可自由選擇 | |||
| 溫差控制 | 設備出口溫度與反應物料溫度的溫差可控制、可設定 | |||
| 程序編輯 | 可編制5條程序，每條程序可編制40段步驟 | |||
| 通信協(xié)議 | MODBUS RTU 協(xié)議 RS 485接口 | |||
| 物料溫度反饋 | PT100 | |||
| 溫度反饋 | 設備進口溫度、設備出口溫度、反應器物料溫度（外接溫度傳感器）三點溫度 | |||
| 導熱介質(zhì)溫控精度 | ±0.5℃ | |||
| 反應物料溫控精度 | ±1℃ | |||
| 加熱功率 | 2KW | 2KW | 3KW | |
| 制冷能力 | 180℃ | 1.5kW | 1.8kW | 3kW |
| 50℃ | 1.5kW | 1.8kW | 3kW | |
| 0℃ | 1.5kW | 1.8kW | 3kW | |
| -5℃ | 0.9kW | 1.2kW | 2kW | |
| -20℃ | 0.6kW | 1kW | 1.5kW | |
| -35℃ | 0.3kW | 0.5kW | ||
| 循環(huán)泵流量、壓力 | max10L/min 0.8bar | max10L/min 0.8bar | max20L/min 2bar | |
| 壓縮機 | 海立/泰康/思科普 | |||
| 膨脹閥 | 丹佛斯/艾默生熱力膨脹閥 | |||
| 蒸發(fā)器 | 丹佛斯/高力板式換熱器 | |||
| 操作面板 | 7英寸彩色觸摸屏，溫度曲線顯示、記錄 | |||
| 安全防護 | 具有自我診斷功能；冷凍機過載保護；高壓壓力開關，過載繼電器、熱保護裝置等多種安全保障功能。 | |||
| 密閉循環(huán)系統(tǒng) | 整個系統(tǒng)為全密閉系統(tǒng)，高溫時不會有油霧、低溫不吸收空氣中水份，系統(tǒng)在運行中不會因為高溫使壓力上升，低溫自動補充導熱介質(zhì)。 | |||
| 制冷劑 | R-404A/R507C | |||
| 接口尺寸 | G1/2 | G1/2 | G1/2 | |
| 水冷型 W 溫度 20度 | 450L/H 1.5bar~4bar G3/8 | 550L/H 1.5bar~4bar G3/8 | ||
| 外型尺寸 cm | 45*65*87 | 45*65*87 | 45*65*120 | |
| 正壓防爆尺寸 | 70*75*121.5 | 70*75*121.5 | ||
| 標配重量 | 55kg | 55kg | 85kg | |
| 電源 | AC 220V 50HZ 2.9kW（max) | AC 220V 50HZ 3.3kW（max) | AC380V 50HZ 4.5kW（max) | |
| 外殼材質(zhì) | SUS 304 | SUS 304 | SUS 304 | |
| 選配 | 正壓防爆 后綴加PEX | |||
| 選配 | 可選配以太網(wǎng)接口，配置電腦操作軟件 | |||
| 選配 | 選配外置觸摸屏控制器，通信線距離10M | |||
| 選配電源 | 100V 50HZ單相，110V 60HZ 單相，230V 60HZ 單相， 220V 60HZ 三相，440V～460V 60HZ 三相 | |||
在現(xiàn)代半導體行業(yè)中，冷熱循環(huán)試驗機通過準確控制溫度環(huán)境，為半導體制造過程中的多個關鍵環(huán)節(jié)提供必要的溫度保障，從而確保產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。反應釜加熱控溫機 化工用冷熱一體機
一、冷熱循環(huán)試驗機的基本工作原理
冷熱循環(huán)試驗機是一種集制冷和加熱功能于一體的設備，能夠提供穩(wěn)定的高溫和低溫環(huán)境，滿足半導體制造過程中復雜多變的溫度需求，為半導體器件的研發(fā)、生產(chǎn)和測試提供了可靠的保障。
二、冷熱循環(huán)試驗機在半導體制程中的應用
1. 薄膜生長
在半導體制程中，冷熱循環(huán)試驗機能夠為薄膜生長提供所需的準確溫度環(huán)境，促進材料的化學反應，從而生長出高質(zhì)量的薄膜。通過準確控制溫度，可以優(yōu)化薄膜的生長條件，提高薄膜的均勻性和致密性，進而提升半導體器件的整體性能。
2. 熱處理
半導體材料在制程過程中需要進行多種熱處理，如退火、氧化等。這些過程對溫度的要求非常嚴格，稍有偏差就可能導致材料性能下降或器件失效。冷熱循環(huán)試驗機能夠提供穩(wěn)定的溫度環(huán)境，確保熱處理過程的順利進行。例如，在氧化過程中，通過準確控制溫度，可以形成致密的二氧化硅層，有效保護晶圓表面，防止化學雜質(zhì)和漏電流的影響。反應釜加熱控溫機 化工用冷熱一體機
3. 摻雜工藝
摻雜是半導體制程中的環(huán)節(jié)之一，通過向材料中引入特定的雜質(zhì)來改變其電學性質(zhì)。冷熱循環(huán)試驗機能夠為摻雜工藝提供準確的溫度控制，確保雜質(zhì)能夠均勻地分布在材料中，從而獲得理想的摻雜效果。準確的溫度控制可以避免摻雜不均勻?qū)е碌钠骷阅懿▌?，提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。
4. 清洗與刻蝕
在半導體制程中，清洗和刻蝕是去除表面污物和不需要材料的步驟。冷熱循環(huán)試驗機能夠為這些工藝提供適當?shù)臏囟拳h(huán)境，提高清洗和刻蝕的效果。適當?shù)臏囟瓤梢源龠M清洗劑和刻蝕劑的化學反應，加速污物和不需要材料的去除，從而保證半導體器件的清潔度和精度。
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