薄膜介電常數(shù)測(cè)試儀 薄膜介電常數(shù)測(cè)試儀
1 測(cè)量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對(duì)濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。
在Cn=100pF R4=3183.2(W)(即10K/π)時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgd 0~1 ±1.5%tgdx±0.0001
在Cn=100pF R4=318.3(W)(即1K/π)時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF
介質(zhì)損耗tgd 0~0.1 ±1.5%tgdx±0.0001
2 電橋測(cè)量靈敏度
電橋在使用過(guò)程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測(cè)量準(zhǔn)確度,希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比。在下面的計(jì)算公式中,用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。
DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)
式中:U為測(cè)量電壓 伏特(V)
ω為角頻率 2pf=314(50Hz)
Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量 皮法(pF)
Ig通用指另儀的電流5X10-10 安培(A)
Rg平衡指另儀內(nèi)阻約1500 歐姆(W)
R4橋臂R4電阻值3183 歐姆(W)
Cx被測(cè)試品電容值 皮法(pF)
3 電容量及介損顯示精度:
電容量: ±0.5%×tgδx±0.0001。
介 損: ±0.5%tgdx±1×10-4
4 輔橋的技術(shù)特性:
工作電壓±12V,50Hz
輸入阻抗>1012 W
輸出阻抗>0.6 W
放大倍數(shù)>0.99
不失真跟蹤電壓 0~12V(有效值)
5 指另裝置的技術(shù)特性:
工作電壓±12V
在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10-6V/格, 電流靈敏度不低于2X10-9A/格
二次諧波 減不小于25db
三次諧波 減不小于50db
特點(diǎn):優(yōu)化的測(cè)試電路設(shè)計(jì)使殘值更小◆ 高頻信號(hào)采用數(shù)碼調(diào)諧器和頻率鎖定技術(shù)◆ LED 數(shù)字讀出品質(zhì)因數(shù),手動(dòng)/自動(dòng)量程切換◆ 自動(dòng)掃描被測(cè)件諧振點(diǎn),標(biāo)頻單鍵設(shè)置和鎖定,大大提高測(cè)試速度
作為新一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器,測(cè)試頻率上限達(dá)到目前國(guó)內(nèi)高的160MHz。1 雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。2 雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。3 雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧,數(shù)碼化電容調(diào)諧。4 自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。5 全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。6 DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真,頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。7 計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路優(yōu)化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至低, Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。